CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC Infineon Technologies

Markenname Infineon Technologies
Modellnummer CY14B101PA-SFXI
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format NVSRAM
Technologie NVSRAM (permanentes SRAM) Speicherkapazität 1 Mbit
Speicherorganisation 128K x 8 Gedächtnis-Schnittstelle SPI
Taktfrequenz 40 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 16-SOIC
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Part Number Description
CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14B101PA-SFXIT IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14B064I-SFXI IC NVSRAM 64KBIT I2C 16SOIC
CY14B101Q3-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14V101QS-SE108XI IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SE108XQ IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SF108XQ IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SF108XI IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14B064PA-SFXIT IC NVSRAM 64KBIT SPI 16SOIC
CY14B064PA-SFXI IC NVSRAM 64KBIT SPI 16SOIC
CY14B101P-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14B256PA-SFXI IC NVSRAM 256KBIT SPI 16SOIC
CY14B101I-SFXI IC NVSRAM 1MBIT I2C 16SOIC
CY14B064I-SFXIT IC NVSRAM 64KBIT I2C 16SOIC
CY14B256I-SFXI IC NVSRAM 256KBIT I2C 16SOIC
CY14B256I-SFXIT IC NVSRAM 256KBIT I2C 16SOIC
CY14B256PA-SFXIT IC NVSRAM 256KBIT SPI 16SOIC
CY14B101I-SFXIT IC NVSRAM 1MBIT I2C 16SOIC
CY14V101Q3-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 30MHZ 16SOIC
CY14V101Q3-SFXIT IC NVSRAM 1MBIT SPI 30MHZ 16SOIC
CY14V101PS-SF108XI IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101PS-SF108XIT IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SE108XIT IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SE108XQT IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SF108XIT IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SF108XQT IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14B256PA-SFXI IC NVSRAM 256KBIT SPI 16SOIC
CY14B064I-SFXI IC NVSRAM 64KBIT I2C 16SOIC
CY14B256I-SFXIT IC NVSRAM 256KBIT I2C 16SOIC
CY14B512PA-SFXI IC NVSRAM 512KBIT SPI 16SOIC
CY14B101Q3-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14B101I-SFXI IC NVSRAM 1MBIT I2C 16SOIC
CY14B101P-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14B101P-SFXIT IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14B512PA-SFXI IC NVSRAM 512KBIT SPI 16SOIC
CY14B512I-SFXI IC NVSRAM 512KBIT I2C 16SOIC
CY14B512I-SFXIT IC NVSRAM 512KBIT I2C 16SOIC
CY14B512PA-SFXIT IC NVSRAM 512KBIT SPI 16SOIC
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Übersicht

Der Cypress CY14X101PA kombiniert eine 1 Mbit nvSRAM[1] mit einem voll ausgestatteten RTC in einer monolithischen integrierten Schaltung mit serieller SPI-Schnittstelle.Die eingebetteten nichtflüchtigen Elemente beinhalten die QuantumTrap-TechnologieDer SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die QuantumTrap-Zellen eine sehr zuverlässige nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten.Die Datenübertragung vom SRAM auf die nichtflüchtigen Elemente (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch bei Ausfall.. Beim Einschalten werden Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Operation) in den SRAM wiederhergestellt.

Eigenschaften

■ 1-Mbit nichtflüchtiger statischer Zufallsspeicher (nvSRAM)
️ Innerlich als 128 K × 8 organisiert
- STORE to QuantumTrap nichtflüchtige Elemente, die automatisch beim Herunterfahren (AutoStore) oder mit Hilfe der SPI-Anweisung (Software STORE) oder HSB-Pin (Hardware STORE) aktiviert werden
- RECALL auf SRAM, der beim Einschalten (Power Up RECALL) oder durch SPI-Anweisung (Software RECALL) eingeleitet wird
- Automatisches STORE bei Ausfall mit einem kleinen Kondensator
■ hohe Zuverlässigkeit
Unendliche Lese-, Schreib- und RECALL-Zyklen
1 Million STORE-Zyklen für QuantumTrap
Aufbewahrung der Daten: 20 Jahre bei 85 °C
■ Echtzeituhr (RTC)

¢ Wachhund-Timer
¢ Alarm mit programmierbarer Unterbrechung
Angabe des Ausfalls der Ersatzstromversorgung
️ Quadratwellen-Ausgang mit programmierbarer Frequenz (1 Hz, 512 Hz, 4096 Hz, 32,768 kHz)
¢ Kondensator- oder Batterie-Rücklauf für RTC
️ Sicherungsstrom von 0,45 μA (typisch)
■ 40 MHz und 104 MHz Hochgeschwindigkeits-Serielle Peripherie­Schnittstelle (SPI)
- 40 MHz Clockrate SPI Schreiben und Lesen mit Null-Zyklusverzögerung
- 104 MHz Clockrate SPI Schreiben und Lesen (mit speziellen Schnelllesebestimmungen)
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
■ SPI-Zugang zu speziellen Funktionen
¢ Nichtflüchtige Lagerstätte/Rückruf
️ 8-Byte Seriennummer
️ Hersteller-ID und Produkt-ID
- Schlafmodus
■ Schreibschutz
¢ Hardware-Schutz mit Schreibschutz-Pin (WP)
- Software-Schutz unter Verwendung der Anweisung Schreiben deaktivieren
- Software-Block-Schutz für 1/4, 1/2 oder ganze Array
■ Niedriger Stromverbrauch
Durchschnittlicher Wirkstrom von 3 mA bei 40 MHz
Durchschnittlicher Standbystrom von 250 μA
️ Schlafstrom von 8 μA
■ Industriestandardkonfigurationen
¢ Betriebsspannungen:
• CY14C101PA: VCC = 2,4 V bis 2,6 V
• CY14B101PA: VCC = 2,7 V bis 3,6 V
• CY14E101PA: VCC = 4,5 V bis 5,5 V


¢ Beschränkung der Verwendung gefährlicher Stoffe (RoHS)

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp.
Produktkategorie mit einer Breite von mehr als 20 mm
Mfr Cypress Semiconductor Corp.
Reihe -
Paket Schlauch
Produktstatus Aktiv
Speichertypen Nicht flüchtig
Speicherformat NVSRAM
Technologie NVSRAM (nicht flüchtige SRAM)
Speichergröße 1 MB (128K x 8)
Speicheroberfläche SPI
Uhrfrequenz 40 MHz
Schreib-Zyklus-Zeit-Wort-Seite -
Spannungsversorgung 2,7 V bis 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Montageart Oberflächenbefestigung
Packungskoffer 16-SOIC (0,295" Breite 7,50 mm)
Lieferant-Gerät-Verpackung 16-SOIC
Nummer des Basisprodukts CY14B101

Funktionell kompatible Komponente

Form,Verpackung,funktional kompatible Komponente

Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
CY14C101Q3A-SF104XI
Gedächtnis
Nichtflüchtige SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, ROHS-konform, MO-119, SOIC-16 Zypress Halbleiter CY14B101PA-SFXI gegenüber CY14C101Q3A-SF104XI
CY14B101PA-SF104XIT
Gedächtnis
Nichtflüchtige SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, ROHS-konform, MO-119, SOIC-16 Zypress Halbleiter CY14B101PA-SFXI gegen CY14B101PA-SF104XIT
CY14B101Q3-SFXI
Gedächtnis
Nichtflüchtige SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, ROHS-konform, MO-119, SOIC-16 Zypress Halbleiter CY14B101PA-SFXI gegenüber CY14B101Q3-SFXI
CY14B101Q3-SFXIT
Gedächtnis
Nichtflüchtige SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, ROHS-konform, MO-119, SOIC-16 Zypress Halbleiter CY14B101PA-SFXI gegenüber CY14B101Q3-SFXIT
CY14B101PA-SFXIT
Gedächtnis
Nichtflüchtige SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16 Zypress Halbleiter CY14B101PA-SFXI gegenüber CY14B101PA-SFXIT
CY14B101P-SFXI
Gedächtnis
Nichtflüchtige SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, ROHS-konform, MO-119, SOIC-16 Zypress Halbleiter CY14B101PA-SFXI gegenüber CY14B101P-SFXI
CY14B101PA-SF104XI
Gedächtnis
Nichtflüchtige SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, ROHS-konform, MO-119, SOIC-16 Zypress Halbleiter CY14B101PA-SFXI gegenüber CY14B101PA-SF104XI
CY14B101P-SFXIT
Gedächtnis
Nichtflüchtige SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, ROHS-konform, MO-119, SOIC-16 Zypress Halbleiter CY14B101PA-SFXI gegen CY14B101P-SFXIT
CY14B101I-SFXI
Gedächtnis
Nichtflüchtige SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, ROHS-konform, MO-119, SOIC-16 Zypress Halbleiter CY14B101PA-SFXI gegenüber CY14B101I-SFXI
CY14B101I-SFXIT
Gedächtnis
Nichtflüchtige SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, ROHS-konform, MO-119, SOIC-16 Zypress Halbleiter CY14B101PA-SFXI gegen CY14B101I-SFXIT

Beschreibungen

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speicher IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 16-SOIC
NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3.3V 16-Pin-SOIC-Rohr
NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM