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IS61NLP25618A-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Markenname | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| Modellnummer | IS61NLP25618A-200B3LI-TR |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SRAM - Synchron, SDR | Speicherkapazität | 4.5Mbit |
| Speicherorganisation | 256K x 18 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
| Zugriffzeit | 3.1 ns | Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.465V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 165-TBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 165-PBGA (13x15) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS61NLP25618A-200B3LI-TR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61NLP25618A-200B3LI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-250B3LI-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-250B3LI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-200B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-200B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPS51236A-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPS51236A-250B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61NLP25618A-200B3I | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61NLP25618A-200B3I-TR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD102418A-200B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD102418A-250B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD102418A-250B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-200B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-250B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-250B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-200B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-200B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-250B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-250B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-200B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-200B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-250B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-250B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD102418A-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD102418A-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD102418A-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-200B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-200B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPS12836A-200B3I | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 165PBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Die 4 Meg NLP/NVP-Produktfamilie verfügt über hochgeschwindige, leistungsarme synchrone statische RAMs, die für einen sprengbaren, leistungsstarken, wartungsfreien Zustand ausgelegt sind.Gerät für Netzwerk- und KommunikationsanwendungenSie sind in Form von 128K Wörtern mit 32 Bit, 128K Wörtern mit 36 Bit und 256K Wörtern mit 18 Bit organisiert, die mit der fortschrittlichen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt wurden.
Eigenschaften
• 100 Prozent Busnutzung• Keine Wartezeiten zwischen Lesen und Schreiben
• Interner selbstzeitgeschützter Schreibzyklus
• Individuelle Byte-Schreibsteuerung
• Einziger R/W (Lesen/Schreiben) Steuerstift
• Uhrsteuerung, registrierte Anschrift, Daten und Steuerung
• Linien- oder interleaved-Burst-Sequenzsteuerung mittels MODE-Eingabe
• Drei Chips ermöglichen eine einfache Tiefenerweiterung und Adresspipelining
• Abschalten
• Gemeinsame Dateneingaben und -ausgänge
• CKE-Stift, um die Uhr zu aktivieren und den Betrieb auszusetzen
• JEDEC 100-Pin-TQFP, 165-Ball-PBGA und 119-Ball-PBGA-Pakete
• Stromversorgung:
NVP: Vdd 2,5 V (± 5%), Vddq 2,5 V (± 5%)
NLP: Vdd 3,3 V (± 5%), Vddq 3,3 V/2,5 V (± 5%)
• Industrielle Temperatur verfügbar
• Bleifrei erhältlich
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | ISSI |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | IS61NLP25618A |
| Typ | Synchron |
| Verpackung | Verpackung mit Band und Rolle (TR) |
| Montage-Stil | SMD/SMT |
| Packungskoffer | 165-TFBGA |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 165-BGA (13x15) |
| Speicherkapazität | 4.5M (256K x 18) |
| Speichertypen | SRAM - synchron |
| Geschwindigkeit | 200 MHz |
| Datenquote | SZR |
| Zugriffszeit | 3.1 ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
| Höchstbetriebstemperatur | + 85 °C |
| Betriebstemperaturbereich | - 40 °C |
| Schnittstellentyp | Parallel |
| Organisation | 256 k x 18 |
| Versorgungsstrom maximal | 210 mA |
| Versorgungsspannung | 3.465 V |
| Versorgungsspannung-Min | 3.135 V |
| Packungskoffer | BGA-165 |
| Maximal-Uhr-Frequenz | 200 MHz |
Beschreibungen
SRAM - Synchrone Speicher IC 4,5 Mb (256 K x 18) Parallel 200 MHz 3,1 ns 165-BGA (13 x 15)
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 4M-Bit 256K x 18 3.1ns 165-Pin BGA T/R
SRAM 4M (256Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
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