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MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.

  • MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
Markenname Micron Technology Inc.
Modellnummer USE Gefahrenabweichung
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM-DDR2 Speicherkapazität 512Mbit
Speicherorganisation 128 M x 4 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 400 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 15ns
Zugriffzeit 400 ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C | 85°C (TC) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 60-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket 60-FBGA (8x10)
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Part Number Description
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-187E:H IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 L:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E L:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M4CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H256M4CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47R256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-187E:M TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

DDR2-SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 Banken
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 Banken
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 Banken

Eigenschaften

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• JEDEC-Standard 1,8 V E/A (SSTL_18-kompatibel)
• Differentialdatenstroboskop (DQS, DQS#)
• 4n-Bit-Prefetch-Architektur
• Option mit doppeltem Ausgangsstroboskop (RDQS) für x8
• DLL zur Anpassung der DQ- und DQS-Übergänge an CK
• 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
• Programmierbare CAS-Latenzzeit (CL)
• Veröffentlichte CAS-Additivlatenz (AL)
• WRITE-Latenz = Lese-Latenz - 1 tCK
• Auswählbare Sprenglängen (BL): 4 oder 8
• Einstellbare Daten-Ausgabe-Antriebstärke
• 64ms, 8192 Zyklen
• Auflösung bei Abbruch (ODT)
• Option für die industrielle Temperatur (IT)
• Fahrzeugtemperatur (AT)
• RoHS-konform
• Unterstützt die JEDEC Clock Jitter-Spezifikation

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Micron Technologie Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray
Packungskoffer 60-TFBGA
Betriebstemperatur 0°C bis 85°C (TC)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 10,7 V bis 1,9 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheit für die Berechnung der Leistung
Speicherkapazität 512M (128Mx4)
Speichertypen DDR2-SDRAM
Geschwindigkeit 2.5ns
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

SDRAM - DDR2-Speicher IC 512Mb (128M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
DRAM-Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1,8 V 60-Pin FBGA
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC