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MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA Micron Technology Inc.

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Nichtflüchtig, flüchtig | Gedächtnis-Format | BLITZ, RAM |
---|---|---|---|
Technologie | FLASH - NAND, mobile LPDRAM | Speicherkapazität | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) |
Speicherorganisation | 128 M x 8 (NAND), 16 M x 32 (LPDRAM) | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 166 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
Zugriffzeit | - | Spannung - Versorgung | 1.7V | 1.95V |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 130-VFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt |
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Part Number | Description | |
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MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT TR | IC FLSH NAND LPDDR 1.5G 130VFBGA | |
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAACVAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G56MAACAUAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA | |
MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAAIAFAMD-6 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA | |
MT29C2G24MAABAHAMD-5 E IT | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT | IC FLASH NAND LPDDR 1.5G 130MCP |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Allgemeine Beschreibung
Micron NAND Flash-Geräte verfügen über eine asynchrone Datenschnittstelle für Hochleistungs-E/A-Operationen.Es gibt fünf Steuerungssignale zur Implementierung der asynchronen Datenschnittstelle: CE#, CLE, ALE, WE# und RE#. Zusätzliche Signale steuern die Schreibschutz-Hardware und überwachen den Gerätestatus (R/B#).Diese Hardware-Schnittstelle erzeugt ein Gerät mit geringer Pinzahl mit einem Standard-Pinout, das von einer Dichte zur anderen gleich bleibt, was zukünftige Upgrades zu höheren Dichte-Bindungen ohne Neugestaltung des Boards ermöglicht.
Ein Ziel ist die Speichereinheit, auf die ein Chip-Aktivierungssignal zugreift.Ein NAND-Flash-Dei ist die minimale Einheit, die Befehle unabhängig voneinander ausführen und den Status melden kannEine NAND-Flash-Matrix wird in der ONFI-Spezifikation als logische Einheit (LUN) bezeichnet.siehe Organisation von Geräten und Arrays.
Dieses Gerät verfügt über einen internen 4-Bit-ECC, der mit den Funktionen GET/SET aktiviert werden kann.
Weitere Informationen finden Sie in den Abschnitten "Internal ECC and Reserve Area Mapping for ECC".
Eigenschaften
• Offene NAND-Flash-Schnittstelle (ONFI) 1.0-konform1• Technologie der Einzelzellen (SLC)
• Organisation
️ Seitengröße x8: 2112 Bytes (2048 + 64 Bytes)
Seite x16: 1056 Wörter (1024 + 32 Wörter)
Blockgröße: 64 Seiten (128K + 4K Bytes)
Flugzeuggröße: 2 Flugzeuge x 2048 Blöcke pro Flugzeug
¢ Gerätegröße: 4 GB: 4096 Blöcke; 8 GB: 8192 Blöcke 16 GB: 16.384 Blöcke
• Asynchrone E/A-Leistung
TRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Leistung des Arrays
Lesen der Seite: 25μs 3
¢ Programmseite: 200 μs (Typ: 1,8 V, 3,3 V) 3
¢ Löschblock: 700 μs (TYP)
• Befehlssatz: ONFI NAND Flash-Protokoll
• Erweiterte Befehlssätze
¢ Cache-Modus der Programmseite4
Lesen des Cachemodus 4
Einmalprogrammierbarer (OTP) Modus
Befehle für zwei Ebenen 4
– Read unique ID
️ Blockverschluss (nur 1,8 V)
• Das Betriebszustand-Byte stellt eine Softwaremethode zur Erkennung
¢ Abschluss der Operation
– Pass/fail condition
️ Schreibschutzstatus
• Das Signal "Ready/Busy#" (R/B#) stellt eine Hardwaremethode zur Erkennung des Abschlusses der Operation bereit.
• WP#-Signal: Schreiben schützen das gesamte Gerät
• Der erste Block (Blockadresse 00h) ist gültig, wenn er von der Fabrik mit ECC ausgeliefert wird.
• Block 0 erfordert 1-Bit-ECC, wenn die Programm-/ERASE-Zyklen weniger als 1000 sind
• Reset (FFh) als erster Befehl nach dem Einschalten erforderlich
• Alternative Methode der Geräteinitialisierung (Nand_In it) nach dem Einschalten (Kontaktfabrik)
• Interne Datenbewegungsvorgänge innerhalb der Ebene, aus der Daten gelesen werden, werden unterstützt
• Qualität und Verlässlichkeit
Aufbewahrung der Daten: 10 Jahre
- Langlebigkeit: 100.000 Programm-/ Löschzyklen
• Betriebsspannungsbereich
¢ VCC: 2,7 ¢ 3,6 V
VCC: 1,7 V 1,95 V
• Betriebstemperatur:
️ Handelsgewerbe: 0°C bis +70°C
Industrie (IT): von 40 °C bis + 85 °C
• Paket
️ 48-Pin-TSOP-Typ 1, CPL2
- 63-Ball VFBGA
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | Micron Technologie Inc. |
Produktkategorie | Speicher-ICs |
Reihe | - |
Verpackung | Schüttgut |
Packungskoffer | 130-VFBGA |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
Schnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 10,7 V bis 1,95 V |
Lieferant-Gerät-Verpackung | Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt |
Speicherkapazität | 1G (128M x 8) ((NAND), 512M (16M x 32) ((LPDRAM) |
Speichertypen | FLASH - NAND, mobile LPDRAM |
Geschwindigkeit | 166 MHz |
Format-Speicher | Mehrchip (FLASH/RAM) |
Beschreibungen
FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Speicher IC 1 GB (128 M x 8) ((NAND), 512 Mb (16 M x 32) ((LPDRAM) Parallel 166MHz 130-VFBGA (8x9)
MCP 128Mx8 Flash + 16Mx32 LPSDRAM 1.8V 130-Pin VFBGA
Empfohlene Produkte