W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA Winbond Electronics

Markenname Winbond Electronics
Modellnummer W9725G6KB-25 TR
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM-DDR2 Speicherkapazität 256Mbit
Speicherorganisation 16M x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 400 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 15ns
Zugriffzeit 400 ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C | 85°C (TC) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 84-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket Einheit für die Berechnung der Leistung der Maschine
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Part Number Description
W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-25 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W9725G6KB-25 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-25 IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W972GG6KB-25 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-18 IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W971GG6NB25I IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W9712G6KB-25 TR IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9712G6KB-25 IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9712G6KB25I TR IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9712G6KB25I IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9725G6KB-18 TR IC DRAM 256MBIT PAR 84WBGA
W9725G6KB25I TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W9725G6KB-18 IC DRAM 256MBIT PAR 84WBGA
W9725G6KB25I IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-18 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W971GG6NB25I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W972GG6KB-25 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG6KB-18 TR IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA
W972GG6KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA
W972GG6KB25I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG6KB25I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W9725G6IB-25 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6IB-25 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-25 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W9725G6JB25I IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB-18 IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6KB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18 IC DRAM 512MBIT PAR 84WBGA
W9751G6KB25I IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB-18 IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6SB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB-18 TR IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6KB-25 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB25I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB-18 TR IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6SB25I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18 TR IC DRAM 512MBIT PAR 84WBGA
W9751G6KB25I TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG8KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA
W972GG8KB25I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG8KB-25 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-25 TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB-25 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Generell beschrieben

Der W9725G6JB ist ein 256M-Bit DDR2 SDRAM, organisiert als 4,194Dieses Gerät erreicht hohe Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) für verschiedene Anwendungen.,25I, 25A, 25K und -3. Die Teile der Klasse -18 entsprechen der Spezifikation DDR2-1066 (7-7-7).Die Teile der Klasse -25/25I/25A/25K entsprechen der Spezifikation DDR2-800 (5-5-5) oder DDR2-800 (6-6-6) (die Teile der industriellen Klasse 25I, die garantiert -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C unterstützen)Die Teile der Klasse -3 entsprechen der Spezifikation DDR2-667 (5-5-5).

Eigenschaften

• Stromversorgung: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• Architektur der Doppeldatenrate: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
• CAS-Latenz: 3, 4, 5, 6 und 7
• Länge des Ausbruchs: 4 und 8
• Mit Daten werden bidirektionale Differenzdatenstrobos (DQS und DQS) übertragen/empfangen
• Rand-Ausgerichtet mit Lesedaten und Mitte-Ausgerichtet mit Schreibdaten
• DLL stellt DQ und DQS-Übergänge mit der Uhr in Einklang
• Differentialschalteinträge (CLK und CLK)
• Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten
• Befehle, die auf jeder positiven CLK-Kante, Datenmaske und Datenmaske eingegeben werden, werden auf beide DQS-Kanten verwiesen
• Unterstützung von geposteter CAS-programmierbarer additiver Latenz, um die Effizienz des Befehls- und Datenbusses zu erhöhen
• Leseverzögerung = Additive Verzögerung plus CAS-Verzögerung (RL = AL + CL)
• Off-Chip-Driver Impedanz Anpassung (OCD) und On-Die-Termination (ODT) für eine bessere Signalqualität
• Automatisches Vorladen für Lesen und Schreiben
• Automatisches und Selbst-Erneuerungsmodus
• Vorgeladener Ausfall und aktiver Ausfall
• Datenmaske schreiben
• Schreiben Sie Latenz = Lesen Sie Latenz - 1 (WL = RL - 1)
• Schnittstelle: SSTL_18
• Verpackt in WBGA 84 Kugel (8X12,5 mm2), mit bleifreien Materialien und RoHS-konform

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Winbond Elektronik
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Verpackung mit Band und Rolle (TR)
Packungskoffer 84-TFBGA
Betriebstemperatur 0°C bis 85°C (TC)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 10,7 V bis 1,9 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheit für die Berechnung der Leistung der Maschine
Speicherkapazität 256 M (16 M x 16)
Speichertypen DDR2-SDRAM
Geschwindigkeit 2.5ns
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

Speicher IC 84-WBGA (8x12.5)
DRAM-Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA