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MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Micron Technology Inc.

  • MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Micron Technology Inc.
Markenname Micron Technology Inc.
Modellnummer MT47H128M16RT-25E: C TR
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM-DDR2 Speicherkapazität 2Gbit
Speicherorganisation 128M x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 400 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 15ns
Zugriffzeit 400 ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C | 85°C (TC) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 84-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket 84-FBGA (9x12.5)
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Part Number Description
MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E IT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E IT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
IS43DR16640B-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
MT47H128M16RT-25E AIT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E L:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E L:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 L:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 L:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-3:F IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-3:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16HR-25E AAT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E L:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-187E:H IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA
MT47H64M16HR-25 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E L:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E IT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16PK-25E IT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HW-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HW-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AAT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E XIT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E XIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

DDR2-SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 Banken
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 Banken
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 Banken

Eigenschaften

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• JEDEC-Standard 1,8 V E/A (SSTL_18-kompatibel)
• Differentialdatenstroboskop (DQS, DQS#)
• 4n-Bit-Prefetch-Architektur
• Option mit doppeltem Ausgangsstroboskop (RDQS) für x8
• DLL zur Anpassung der DQ- und DQS-Übergänge an CK
• 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
• Programmierbare CAS-Latenzzeit (CL)
• Veröffentlichte CAS-Additivlatenz (AL)
• WRITE-Latenz = Lese-Latenz - 1 tCK
• Auswählbare Sprenglängen (BL): 4 oder 8
• Einstellbare Daten-Ausgabe-Antriebstärke
• 64ms, 8192 Zyklen
• Auflösung bei Abbruch (ODT)
• Option für die industrielle Temperatur (IT)
• Fahrzeugtemperatur (AT)
• RoHS-konform
• Unterstützt die JEDEC Clock Jitter-Spezifikation

Spezifikationen

EigenschaftAttributivwert
HerstellerMicron Technologie Inc.
ProduktkategorieSpeicher-ICs
Reihe-
VerpackungVerpackung mit Band und Rolle (TR)
Packungskoffer84-TFBGA
Betriebstemperatur0°C bis 85°C (TC)
SchnittstelleParallel
Spannungsversorgung10,7 V bis 1,9 V
Lieferant-Gerät-VerpackungEinheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte
Speicherkapazität2G (128M x 16)
SpeichertypenDDR2-SDRAM
Geschwindigkeit2.5ns
Format-SpeicherSpeicherplatz

Beschreibungen

SDRAM - DDR2-Speicher IC 2 GB (128 M x 16) Parallel 400 MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC