IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

Markenname ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Modellnummer IS43DR81280C-25DBL
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM-DDR2 Speicherkapazität 1Gbit
Speicherorganisation 128M x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 400 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 15ns
Zugriffzeit 400 ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C | 85°C (TC) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 60-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d
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Part Number Description
IS43DR86400E-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400D-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Eigenschaften

● Standardspannung: VDD und VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Niedrigspannung (L): VDD und VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rückwärtskompatibel mit 1,5 V
● Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungsraten
Frequenz bis 933 MHz
● 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
● 8n-Bit-Architektur vor dem Abrufen
● Programmierbare CAS-Latenz
● Programmierbare Additive Latenz: 0, CL-1, CL-2
● Programmierbare CAS WRITE-Latenz (CWL) basierend auf tCK
● Programmierbare Ausbruchlänge: 4 und 8
● Programmierbarer Ausbruchsverlauf: Sequential oder Interleave
● BL-Schalter im Handumdrehen
● Automatische Erneuerung (ASR)
● Selbsterfrischungstemperatur (SRT)
● Erneuerungsintervall:
7.8 us (8192 Zyklen/64 ms) Tc= -40°C bis 85°C
3.9 us (8192 Zyklen/32 ms) Tc= 85°C bis 105°C
● Selbstrefreschierung in einem Teilbereich
● Asynchrone Rücksetzspalte
● TDQS (Termination Data Strobe) unterstützt (nur x8)
● OCD (Off-Chip-Anpassung der Impedanz des Treibers)
● Dynamische ODT (On-Die-Termination)
● Kraft des Fahrers: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● Schreiben Sie die Ebene
● Bis zu 200 MHz im ausgeschalteten DLL-Modus
● Betriebstemperatur:
Für den Handel (TC = 0°C bis +95°C)
Industrie (TC = -40 °C bis +95 °C)
Fahrzeugtechnik, A1 (TC = -40°C bis +95°C)
Fahrzeugtechnik, A2 (TC = -40°C bis +105°C)

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller ISSI
Produktkategorie Speicher-ICs
Hersteller ISSI
Produktkategorie DRAM
RoHS Einzelheiten
Marke ISSI

Beschreibungen

SDRAM - DDR2-Speicher IC 1 GB (128 M x 8) Parallel 400 MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5)
DRAM-Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1,8V 60-Pin TW-BGA
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 128Mx8