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IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
---|---|---|---|
Technologie | SDRAM-DDR2 | Speicherkapazität | 1Gbit |
Speicherorganisation | 128M x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 400 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 15ns |
Zugriffzeit | 400 ps | Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C | 85°C (TC) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 60-TFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43DR86400E-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR82560C-25DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400E-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR82560C-25DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-3DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400E-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400E-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400E-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400D-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400E-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-3DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-3DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-25DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Eigenschaften
● Standardspannung: VDD und VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V● Niedrigspannung (L): VDD und VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rückwärtskompatibel mit 1,5 V
● Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungsraten
Frequenz bis 933 MHz
● 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
● 8n-Bit-Architektur vor dem Abrufen
● Programmierbare CAS-Latenz
● Programmierbare Additive Latenz: 0, CL-1, CL-2
● Programmierbare CAS WRITE-Latenz (CWL) basierend auf tCK
● Programmierbare Ausbruchlänge: 4 und 8
● Programmierbarer Ausbruchsverlauf: Sequential oder Interleave
● BL-Schalter im Handumdrehen
● Automatische Erneuerung (ASR)
● Selbsterfrischungstemperatur (SRT)
● Erneuerungsintervall:
7.8 us (8192 Zyklen/64 ms) Tc= -40°C bis 85°C
3.9 us (8192 Zyklen/32 ms) Tc= 85°C bis 105°C
● Selbstrefreschierung in einem Teilbereich
● Asynchrone Rücksetzspalte
● TDQS (Termination Data Strobe) unterstützt (nur x8)
● OCD (Off-Chip-Anpassung der Impedanz des Treibers)
● Dynamische ODT (On-Die-Termination)
● Kraft des Fahrers: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● Schreiben Sie die Ebene
● Bis zu 200 MHz im ausgeschalteten DLL-Modus
● Betriebstemperatur:
Für den Handel (TC = 0°C bis +95°C)
Industrie (TC = -40 °C bis +95 °C)
Fahrzeugtechnik, A1 (TC = -40°C bis +95°C)
Fahrzeugtechnik, A2 (TC = -40°C bis +105°C)
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | ISSI |
Produktkategorie | Speicher-ICs |
Hersteller | ISSI |
Produktkategorie | DRAM |
RoHS | Einzelheiten |
Marke | ISSI |
Beschreibungen
SDRAM - DDR2-Speicher IC 1 GB (128 M x 8) Parallel 400 MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5)
DRAM-Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1,8V 60-Pin TW-BGA
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 128Mx8
Empfohlene Produkte