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DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Markenname Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Modellnummer DS1225AD-200+
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format NVSRAM
Technologie NVSRAM (permanentes SRAM) Speicherkapazität 64 KB
Speicherorganisation 8K x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 200ns
Zugriffzeit 200 ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Durchs Loch
Packung / Gehäuse 28 DIP-Module (0,600", 15,24 mm) Lieferanten-Gerätepaket 28-EDIP
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Part Number Description
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-85+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-85+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-200+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-170+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-200+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-85+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230W-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-170+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-85+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-200 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-200IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-150IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-200IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-150IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-85 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-85 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-200IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-70IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230W-100IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225Y-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Die DS1225AB und DS1225AD sind 65.536-Bit, vollständig statische, nichtflüchtige SRAMs, die als 8192 Wörter nach 8 Bit organisiert sind.Jede NV-SRAM verfügt über eine eigenständige Lithium-Energiequelle und eine Steuerungsschaltung, die VCC ständig auf einen außerhalb der Toleranzstand überwacht..

Eigenschaften

10 Jahre Mindestdatenspeicherung bei Abwesenheit einer externen Leistung
Daten werden automatisch bei Stromausfall geschützt
Ersetzt direkt 8k x 8 volatile statische RAM oder EEPROM
Unbegrenzte Schreibzyklen
CMOS mit geringer Leistung
JEDEC-Standard 28-Pin-DIP-Paket
Lese- und Schreibzugangszeiten von bis zu 70 ns
Lithium-Energiequelle ist elektrisch abgeschaltet, um Frische zu behalten, bis Strom zum ersten Mal angewendet wird
Voller ±10% VCCBetriebsbereich (DS1225AD)
Optional ±5% VCC-Betriebsbereich (DS1225AB)
Optionale industrielle Temperaturbereiche von -40 °C bis +85 °C mit der Bezeichnung IND

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Maxim integriert
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe DS1225AD
Verpackung Schlauch
Montage-Stil Durchs Loch
Packungskoffer 28 DIP-Module (0,600", 15,24 mm)
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 28-EDIP
Speicherkapazität 64K (8K x 8)
Speichertypen NVSRAM (nicht flüchtige SRAM)
Geschwindigkeit 200 ns
Zugriffszeit 200 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 70 °C
Betriebstemperaturbereich 0 C
Betriebsversorgungsstrom 75 mA
Schnittstellentyp Parallel
Organisation 8 k x 8
Teil-#-Alias 90-1225A+D00 DS1225AD
Datenbusbreite 8 Bit
Versorgungsspannung 5.5 V
Versorgungsspannung-Min 4.5 V
Packungskoffer EDIP-28

Funktionell kompatible Komponente

Form,Verpackung,funktional kompatible Komponente

Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
DS1225Y-200+
Gedächtnis		 Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, ROHS-konform, DIP-28 Maxim Integrierte Produkte DS1225AD-200+ gegen DS1225Y-200+
DS1225AB-200IND
Gedächtnis		 8KX8 VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 Rochester Electronics LLC Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss ist.
DS1225Y-200
Gedächtnis		 Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-28 Maxim Integrierte Produkte DS1225AD-200+ gegen DS1225Y-200
DS1225AD-200
Gedächtnis		 Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0,720 INCH, erweitert, DIP-28 Dallas Halbleiter DS1225AD-200+ gegen DS1225AD-200
DS1225AB-200IND+
Gedächtnis		 Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, ROHS-konform, DIP-28 Maxim Integrierte Produkte Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss ist.
BQ4010MA-200
Gedächtnis		 8KX8 Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 200ns, DMA28, DIP-28 Texas Instruments DS1225AD-200+ gegen BQ4010MA-200
BQ4010YMA-200
Gedächtnis		 8KX8 Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 200ns, PDIP28 Texas Instruments DS1225AD-200+ gegen BQ4010YMA-200
DS1225AB-200
Gedächtnis		 8KX8 VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 Rochester Electronics LLC DS1225AD-200+ gegen DS1225AB-200
DS1225AB-200+
Gedächtnis		 Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, ROHS-konform, DIP-28 Maxim Integrierte Produkte DS1225AD-200+ gegen DS1225AB-200+
DS1225AD-200IND+
Gedächtnis		 Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, ROHS-konform, DIP-28 Maxim Integrierte Produkte DS1225AD-200+ gegen DS1225AD-200IND+

Beschreibungen

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speicher IC 64Kb (8K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
NVRAM 64k Nichtflüchtige SRAM
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC