MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA Micron Technology Inc.

Markenname Micron Technology Inc.
Modellnummer MT48LC16M16A2B4-7E IT: G
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM Speicherkapazität 256Mbit
Speicherorganisation 16M x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 133 MHZ Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 14ns
Zugriffzeit 5,4 ns Spannung - Versorgung 3V bis 3,6V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 54-VFBGA Lieferanten-Gerätepaket 54-VFBGA (8x8)
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Part Number Description
MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-8 IT TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-8 TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-75M IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-10 IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-10 IT IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-10 IT TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-10 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8 IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8 IT IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFF4-10 IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFF4-10 IT IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFF4-10 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFF4-8 IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFF4-8 IT IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-10 IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFF4-10 IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFF4-10 IT IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFF4-8 IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFF4-8 IT IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-10 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-10:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC4M16A2F4-75:G TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48LC4M16A2F4-7E:G TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48LC4M16A2B4-7E:G TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48LC8M16A2F4-75:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8 IT TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-8:J TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-75 IT:H TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-75:H TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-75M:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8 IT:H IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8 IT:H TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8:H IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8:H TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-6 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-6:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H32M16LFB4-75 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-75 IT:H IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-75:H IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-75 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-75:K IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-8:J IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-75:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-8 IT:J IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H16M16LFBF-75 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-75:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC4M16A2B4-75 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-75:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H32M16LFB4-75B IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Allgemeine Beschreibung

Der 256 Mb SDRAM ist ein hoheschnelliger CMOS-Speicher mit dynamischem Zufallszugriff, der 268435Die Datenbank ist intern als Quad-Bank DRAM mit einer synchronen Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden am positiven Rand des Uhrsignals, CLK, registriert).108Die 864-Bit-Banken sind in 8192 Zeilen, 2048 Spalten und 4 Bits organisiert.108Die 864-Bit-Banken sind in 8192 Zeilen, 1024 Spalten und 8 Bits organisiert.108Die 864-Bit-Banken sind in 8192 Zeilen mit 512 Spalten mit 16 Bit organisiert.

Eigenschaften

• PC100- und PC133-konform
• Voll synchron; alle Signale werden am positiven Rand der Systemuhr registriert
• Interner, durchführbarer Betrieb; die Spaltenadresse kann bei jedem Uhrzyklus geändert werden
• Interne Banken für den Zugang/die Vorladung in versteckter Reihe
• Programmierbare Aufnahmelänge: 1, 2, 4, 8 oder ganze Seite
• Automatisches Vorladen, beinhaltet gleichzeitiges automatisches Vorladen und automatisches Aktualisieren
• Selbsterneuerungsmodus (nicht auf AT-Geräten verfügbar)
• Automatische Aktualisierung
- 64 ms, 8192 Zyklen Aktualisierung (kommerzielle und industrielle)
- 16ms, 8192 Zyklen Erneuerung (Automotive)
• LVTTL-kompatible Eingänge und Ausgänge
• Einzelne 3,3 V ± 0,3 V Stromversorgung

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Micron Technologie Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray Alternative Verpackung
Packungskoffer 54-VFBGA
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheit für die Bereitstellung von Daten über die Funktionsweise der Datenbank
Speicherkapazität 256 M (16 M x 16)
Speichertypen SDRAM
Geschwindigkeit 133 MHz
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

DRAM-Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin VFBGA