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AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc. (auch bekannt als AS4C4M16SA-6TIN)

  • AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.
Markenname Alliance Memory, Inc.
Modellnummer Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM Speicherkapazität 64Mbit
Speicherorganisation 4M x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 166 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit 5,4 ns Spannung - Versorgung 3V bis 3,6V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 54-TSOP (0,400", 10.16mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 54-TSOP II
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Part Number Description
AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-6TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TAN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2TG-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SB-6TIN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II
AS4C16M16SB-7TCN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2TG-75:IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TANTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-6TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS7C316098B-10TINTR IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
AS7C316098B-10TIN IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TANTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SA-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TAN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SA-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:CTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:IT:CTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC8M16A2TG-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC16M16A2TG-6A IT:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC16M16A2TG-6A:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC8M16A2TG-6A:LTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Typ SDRAM
Verpackung Tray
Montage-Stil SMD/SMT
Packungskoffer 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 54-TSOP II
Speicherkapazität 64 M (4 M x 16)
Speichertypen SDRAM
Geschwindigkeit 166 MHz
Zugriffszeit 5.4 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 85 °C
Betriebstemperaturbereich - 40 °C
Organisation 4 M x 16
Versorgungsstrom maximal 50 mA
Datenbusbreite 16 Bit
Versorgungsspannung 3.6 V
Versorgungsspannung-Min 3 V
Packungskoffer TSOP-54
Maximal-Uhr-Frequenz 166 MHz

Beschreibungen

SDRAM-Speicher IC 64Mb (4M x 16) Parallel 166MHz 5,4ns 54-TSOP II
DRAM
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC